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​位置传感器工作原理详解,图文结合,一文总结,几分钟带你搞定

时间:2023-10-31 09:19

来源:奇熊百科

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位置传感器工作原理详解,图文结合,一文总结,几分钟带你搞定

今天给大家讲一下关于位置传感器相关的知识,主要是位置传感器工作原理、位置传感器有哪几种类型进行简单的讲解。顾名思义,位置传感器检测物体的位置,也就是意味着位置传感器被引用到某个固定点或者说从某个固定的点或者位置引用,然后位置传感器提供位置的反馈。

确定位置的一种方法是使用“距离”,如两点之间的距离,例如从某个固定点行进或移动的距离,或者使用“旋转”(角运动)。

例如,机器人轮子的旋转以确定其沿地面行进的距离。无论哪种方式,位置传感器都可以使用线性传感器检测物体的直线运动,或者使用旋转传感器检测物体的角运动。

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位置传感器可以以不同的方式运行:1)线性可变差动变压器,也就是LVDT感应式位置传感器通过在传感器线圈中感应出的磁场特性的变化来检测物体的位置。第一种是称为LVDT位置传感器或者线性可变差动变压器。在LVDT位置传感器中,三个单独的线圈缠绕在空心管上。其中一个是初级线圈,另外两个是次级线圈。这三个线圈在电气上是串联的,但次级线圈的相位关系是180°,相对于初级线圈异相。

铁磁芯或电枢放置在空心管内,电枢连接到被测量位置的物体。将激励电压信号施加到初级线圈,在LVDT的次级线圈中感应出EMF。

线性可变差动变压器(LVDT位置传感器)通过测量两个次级线圈之间的电压差,可以确定电枢的相对位置(以及它所连接的物体)。当电枢在管子中精确居中时,EMF抵消,导致没有电压输出。但是随着电枢离开零位,电压及其极性会发生变化。

所以,电压幅度及其相角用于提供信息,这些信息不仅反映了远离中心(零)位置的移动量,还反映了它的方向。

下面的图说明了线性可变差动变压器的操作,显示了电压测量值到位置指示的转换。

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LVDT电感式位置传感器提供良好的精度、分辨率、高灵敏度,并在整个传感范围内提供良好的线性度,无摩擦。

虽然LVDT用于跟踪线性运动,但称为RVDT(用于旋转电压差动变压器)的等效设备可以跟踪物体的旋转位置。RVDT的功能与LVDT相同,仅在构造细节上有所不同。

2)电感式接近传感器电感式接近传感器有四个主要组件;产生电磁场的振荡器,产生磁场的线圈。当物体进入时检测磁场变化的检测电路,以及产生输出信号的输出电路,常闭(NC)或者常闭开(NO)触点。

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电感式接近传感器允许检测传感器头前面的金属物体,而无需检测到物体本身的任何物理接触,非常适合在肮脏或潮湿的环境中使用。电感式接近传感器的“感应”范围非常小,通常为0.1毫米至12毫米。

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除工业应用外,电感式接近传感器也常用于通过改变路口和十字路口的交通信号灯来控制交通流量。矩形电感线圈埋入柏油路面。

当汽车或其他道路车辆经过此感应回路时,车辆的金属车身会改变回路电感并激活传感器,从而提醒交通信号灯控制器有车辆在等待。

这些类型的位置传感器的一个主要缺点是它们是“全向的”,即它们会感应金属物体的上方、下方或侧面。此外,尽管电容式接近传感器和超声波接近传感器可用,但它们不能检测非金属物体。其他常用的磁性位置传感器包括:簧片开关、霍尔效应传感器和可变磁阻传感器。电容式位置传感器依靠检测电容值的变化来确定被测物体的位置。电容由彼此分开的两块板组成,两块板之间有介电材料。

电容式位置传感器检测物体的位置有两种方法:

1、通过改变电容器的介电常数2、通过改变电容器极板的重叠面积在第一种情况下,被测物体附着在介电材料上,其相对于电容板的位置随着物体的移动而变化。随着介电材料的移动,电容器的有效介电常数发生变化,这是由于部分区域的介电材料和其余部分是空气的介电常数的结果。这种方法提供了电容值相对于物体相对位置的线性变化。在第二种情况下,不是将物体连接到介电材料上,而是连接到电容板上。因此,当物体移动其位置时,电容极板的重叠区域会发生变化,从而再次改变电容值。改变电容以测量物体位置的原理可以应用于线性和角度方向的运动。所有“位置传感器”中最常用的是电位器,因为它是一种便宜且易于使用的位置传感器。它有一个与机械轴相连的触点,该机械轴的运动可以是有角度的(旋转的)或线性的(滑块型),这会导致滑块和两个端部连接之间的电阻值发生变化,从而产生电信号输出在电阻轨道上的实际抽头位置与其电阻值之间具有比例关系。换句话说,阻力与位置成正比。

电位器有多种设计和尺寸,例如常用的圆形旋转类型或较长且扁平的线性滑块类型。当用作位置传感器时,可移动物体直接连接到电位计的旋转轴或滑块。

直流参考电压施加在形成电阻元件的两个外部固定连接上。输出电压信号取自滑动触点的抽头端子,如下图所示。

电位器结构图

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这种配置产生与轴位置成比例的电位或分压器类型的电路输出。然后,例如,如果在电位器的电阻元件上施加10v的电压,则最大输出电压将等于10伏的电源电压,最小输出电压等于0伏。

然后电位器抽头将输出信号在0到10伏之间变化,其中5伏表示抽头或滑块处于其中间位置或中心位置。电位器的输出信号(Vout)在沿电阻轨道移动时取自中心游标连接,并且与轴的角位置成正比。

简单的位置检测电路示例

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虽然电阻式电位器位置传感器具有许多优点:成本低、技术含量低、易于使用等,但作为位置传感器,它们也有许多缺点:运动部件磨损、精度低、可重复性低和频率响应有限。

但是将电位计用作位置传感器有一个主要缺点。其游标或滑块的移动范围(以及因此获得的输出信号)受限于所使用的电位器的物理尺寸。

例如,单圈旋转电位器通常仅具有在0°和最大约240至330°之间的固定机械旋转。但是,也可提供机械旋转高达3600o(10x360°)的多圈锅。

大多数类型的电位器都使用碳膜作为电阻轨道,但这些类型的电位器具有电噪声(收音机音量控制上的噼啪声),并且机械寿命也很短。

涡流是在磁场变化的情况下发生在导电材料中的感应电流,是法拉第感应定律的结果。这些电流在闭合回路中流动,进而导致产生次级磁场。

如果线圈通过交流电通电以产生初级磁场,则由于涡流产生的次级场的相互作用,可以感应到靠近线圈的导电材料的存在,这会影响线圈的阻抗线圈。因此,线圈阻抗的变化可以用来确定物体与线圈的距离。涡流位置传感器与导电物体一起工作。大多数涡流传感器用作接近传感器,旨在确定物体是否接近传感器的位置。它们被限制为位置传感器。因为位置传感器是全向的,这意味着它们可以确定物体与传感器的相对距离,但不能确定物体相对于传感器的方向。铁、镍和钴等铁磁材料表现出一种称为磁致伸缩的特性。磁致伸缩位置传感器利用当存在外加磁场时,材料会改变其尺寸或形状这一原理来确定物体的位置。

一个可移动的位置磁铁附在被测物体上。波导由传输电流脉冲的导线组成,连接到位于波导末端的传感器。定位磁铁产生轴向磁场,其磁力线与磁致伸缩线和波导共面。当电流脉冲沿波导向下发送时,导线中会产生一个磁场,该磁场与永磁体(位置磁体)的轴向磁场相互作用。

场相互作用的结果是一种扭曲,称为维德曼效应。这种扭曲会导致导线产生应变,从而产生沿着波导传播并由波导末端的传感器检测到的声脉冲。

由于声波将从定位磁铁所在的位置沿两个方向传播,因此在波导的另一端安装了一个阻尼装置,以吸收远离传感器传播的脉冲。传感器,使其不会导致干扰信号反射回拾取传感器。下面的图2说明了磁致伸缩位置传感器的工作原理。

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就其性质而言,磁致伸缩位置传感器用于检测线性位置。它们可以配备多个位置磁铁,以提供沿同一轴的多个组件的位置信息。它们是非接触式传感器,由于波导通常安装在不锈钢或铝管中,因此这些传感器可用于可能存在污染的应用中。此外,即使在波导和定位磁体之间存在屏障,只要屏障由非磁性材料制成,磁致伸缩位置传感器也可以工作。磁阻位置传感器可提供多种输出,包括直流电压、电流、PWM信号和启停数字脉冲。霍尔效应指出,当薄的扁平电导体有电流流过它并置于磁场中时,磁场会影响电荷载流子,迫使它们相对于另一侧积聚在导体的一侧,以平衡磁场的干扰。

这种电荷的不均匀分布导致在导体两侧之间产生电位差,称为霍尔电压。该电势发生在横向于电流流动方向和磁场方向的方向上。

如果导体中的电流保持在一个恒定值,霍尔电压的大小将直接反映磁场的强度。

在霍尔效应位置传感器中,被测量其位置的物体连接到容纳在传感器轴中的磁铁。随着物体移动,磁铁的位置相对于传感器中的霍尔元件发生变化。然后,这种位置移动会改变施加到霍尔元件的磁场强度,这反过来会反映为测量的霍尔电压的变化。这样,测得的霍尔电压就成为了物体位置的指标。光纤位置传感器使用光纤,在光纤的每一端都有一组光电探测器。光源附在被观察运动的物体上。在物体位置被引导到荧光光纤中的光能在光纤中被反射,并被发送到光纤的任一端,在那里被光电探测器检测到。

在两个光电探测器上观察到的测量光功率比的对数将是物体到光纤末端的距离的线性函数,因此该值可用于提供物体的位置信息。

光学位置传感器使用两种原理之一进行操作。在第一种类型中,光从发射器传输并发送到传感器另一端的接收器。在第二种类型中,发射的光信号从被监测的物体反射返回到光源。光特性(例如波长、强度、相位、偏振)的变化用于建立关于物体位置的信息。这些类型的传感器分为三类:

基于编码器的光学位置传感器可用于线性和旋转运动。

与光学位置传感器类似,超声波位置传感器发射通常由压电晶体换能器产生的高频声波,换能器产生的超声波从被测物体或目标反射回换能器,在此产生输出信号。

超声波传感器可以用作接近传感器,它们报告物体在传感器的指定范围内,或者用作提供测距信息的位置传感器。

超声波位置传感器的优点是它们可以与不同材料和表面特性的目标物体一起工作,并且可以比其他类型的位置传感器检测更远距离的小物体。它们还可以抵抗振动、环境噪声、EMI和红外辐射。

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